Антава

VISHAY

Транзистор SIHU2N80E-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
1.8A
Pulsed drain current
5A
Power dissipation
62.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHU2N80E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current1.8A
Pulsed drain current5A
Power dissipation62.5W
КорпусIPAK, TO251
Gate-source voltage±30V
On-state resistance2.75Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge19.6nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 5A; 62.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.