VISHAY

Транзистор SIHR120N60E-T1-GE3

PowerPAK® 8x8LИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600 V
Drain current: 32 A
Рассеиваемая мощность: 278 W
Корпус: PowerPAK® 8x8L

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIHR120N60E-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	600 V
Drain current	32 A
Рассеиваемая мощность	278 W
Корпус	PowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	0.104 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	44nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 278W; PowerPAK® 8x8L

Документация

Документы пока не предоставлены.