Антава

VISHAY

Транзистор SIHR080N60E-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
51 A
Power dissipation
500 W
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHR080N60E-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current51 A
Power dissipation500 W
КорпусPowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance74 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; 500W; PowerPAK® 8x8L

Документация

Документы пока не предоставлены.