Антава

VISHAY

Транзистор SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
5.5A
Pulsed drain current
18A
Power dissipation
156W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHP8N50D-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current5.5A
Pulsed drain current18A
Power dissipation156W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.85Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge30nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.