Антава

VISHAY

Транзистор SIHP38N60EF-GE3

SIHP38N60EF-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
25 A
Pulsed drain current
11 A
Рассеиваемая мощность
313 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHP38N60EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current25 A
Pulsed drain current11 A
Рассеиваемая мощность313 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance70 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge189nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 11A; 313W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.