Антава

VISHAY

Транзистор SIHP35N60E-GE3

SIHP35N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
80 A
Power dissipation
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHP35N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current20 A
Pulsed drain current80 A
Power dissipation250 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance94 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge132nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.