Антава

VISHAY

Транзистор SIHP33N60EF-GE3

SIHP33N60EF-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
21A
Pulsed drain current
100A
Power dissipation
278W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHP33N60EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current21A
Pulsed drain current100A
Power dissipation278W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance98mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge155nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 100A; 278W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.