Антава

VISHAY

Транзистор SIHP33N60E-GE3

SIHP33N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
21 A
Pulsed drain current
88 A
Power dissipation
278 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHP33N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current21 A
Pulsed drain current88 A
Power dissipation278 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance99 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 88A; 278W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.