Антава

VISHAY

Транзистор SIHP30N60E-GE3

SIHP30N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
18A
Pulsed drain current
65A
Power dissipation
250W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHP30N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current18A
Pulsed drain current65A
Power dissipation250W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.125Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge130nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 65A; 250W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.