Антава

VISHAY

Транзистор SIHP25N60EFL-GE3

SIHP25N60EFL-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
25 A
Power dissipation
250 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHP25N60EFL-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current25 A
Power dissipation250 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance127 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge75nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 250W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.