Антава

VISHAY

Транзистор SIHP25N50E-GE3

SIHP25N50E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
16A
Pulsed drain current
50A
Power dissipation
250W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHP25N50E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current16A
Pulsed drain current50A
Power dissipation250W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.145Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge86nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.