Антава

VISHAY

Транзистор SIHP24N80AEF-GE3

SIHP24N80AEF-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
46 A
Power dissipation
208 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 184 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 024,94 ₽

Сумма · с НДС 22%1 024,94 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 024,94 ₽
от 2961,36 ₽
от 10730,17 ₽
от 20631,92 ₽
от 50535,59 ₽
от 100487,42 ₽
от 200470,08 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIHP24N80AEF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current20 A
Pulsed drain current46 A
Power dissipation208 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.195 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge90nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.