Антава

VISHAY

Транзистор SIHP240N65E-GE3

SIHP240N65E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
16A
Power dissipation
147W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHP240N65E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current16A
Power dissipation147W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.24Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge19nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; 147W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.