Антава

VISHAY

Транзистор SIHP240N60E-GE3

SIHP240N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
7 A
Pulsed drain current
31 A
Power dissipation
78 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHP240N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current7 A
Pulsed drain current31 A
Power dissipation78 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.24 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge23nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 31A; 78W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.