Антава

VISHAY

Транзистор SIHP22N65E-GE3

SIHP22N65E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
14 A
Pulsed drain current
56 A
Power dissipation
227 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHP22N65E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current14 A
Pulsed drain current56 A
Power dissipation227 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.18 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 14A; Idm: 56A; 227W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.