Антава

VISHAY

Транзистор SIHP22N60E-GE3

SIHP22N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
13 A
Pulsed drain current
56 A
Рассеиваемая мощность
227 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 142 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%894,08 ₽

Сумма · с НДС 22%894,08 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1894,08 ₽
от 5695,39 ₽
от 10627,92 ₽
от 50592,30 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIHP22N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current13 A
Pulsed drain current56 A
Рассеиваемая мощность227 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.18 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge86nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.