Антава

VISHAY

Транзистор SIHP21N80AEF-GE3

SIHP21N80AEF-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
10.3 A
Pulsed drain current
37 A
Power dissipation
179 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHP21N80AEF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current10.3 A
Pulsed drain current37 A
Power dissipation179 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.25 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge71nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.3A; Idm: 37A; 179W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.