Антава

VISHAY

Транзистор SIHP20N50E-GE3

SIHP20N50E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
12 A
Pulsed drain current
42 A
Power dissipation
179 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHP20N50E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current12 A
Pulsed drain current42 A
Power dissipation179 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance184 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge92nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.