Антава

VISHAY

Транзистор SIHP17N80E-GE3

SIHP17N80E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
10 A
Pulsed drain current
45 A
Power dissipation
208 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHP17N80E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current10 A
Pulsed drain current45 A
Power dissipation208 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.29 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge122nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.