Антава

VISHAY

Транзистор SIHP17N60D-GE3

SIHP17N60D-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
10.7A
Pulsed drain current
48A
Power dissipation
277.8W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHP17N60D-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current10.7A
Pulsed drain current48A
Power dissipation277.8W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.34Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge90nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 48A; 277.8W

Документация

Документы пока не предоставлены.