Антава

VISHAY

Транзистор SIHP15N80AEF-GE3

SIHP15N80AEF-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
8A
Pulsed drain current
28A
Power dissipation
156W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHP15N80AEF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current8A
Pulsed drain current28A
Power dissipation156W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.35Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge54nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.