Антава

VISHAY

Транзистор SIHP14N50D-GE3

SIHP14N50D-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
9A
Power dissipation
208W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHP14N50D-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current9A
Power dissipation208W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.4Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge58nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 208W; TO220AB

Документация

Документ производителя