Антава

VISHAY

Транзистор SIHP12N60E-GE3

SIHP12N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
7.8 A
Pulsed drain current
27 A
Power dissipation
147 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHP12N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current7.8 A
Pulsed drain current27 A
Power dissipation147 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.38 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge58nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.