Антава

VISHAY

Транзистор SIHP125N60EF-GE3

SIHP125N60EF-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
16 A
Pulsed drain current
66 A
Рассеиваемая мощность
179 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHP125N60EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current16 A
Pulsed drain current66 A
Рассеиваемая мощность179 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.125 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge47nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.