Антава

VISHAY

Транзистор SIHP120N60E-GE3

SIHP120N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
16A
Pulsed drain current
66A
Power dissipation
179W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHP120N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current16A
Pulsed drain current66A
Power dissipation179W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.12Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge45nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.