Антава

VISHAY

Транзистор SIHP11N80AE-GE3

SIHP11N80AE-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
22 A
Рассеиваемая мощность
78 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 145 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%543,57 ₽

Сумма · с НДС 22%543,57 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1543,57 ₽
от 10354,26 ₽
от 50269,91 ₽
от 100260,54 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIHP11N80AE-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current5 A
Pulsed drain current22 A
Рассеиваемая мощность78 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.45 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge42nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.