Антава

VISHAY

Транзистор SIHP105N60EF-GE3

SIHP105N60EF-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
19 A
Pulsed drain current
73 A
Power dissipation
208 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHP105N60EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current19 A
Pulsed drain current73 A
Power dissipation208 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.102 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge53nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.