Антава

VISHAY

Транзистор SIHP100N65E-GE3

SIHP100N65E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
30 A
Power dissipation
208 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHP100N65E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current30 A
Power dissipation208 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge41nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 208W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.