Антава

VISHAY

Транзистор SIHP068N60EF-GE3

SIHP068N60EF-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
26 A
Pulsed drain current
115 A
Рассеиваемая мощность
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHP068N60EF-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current26 A
Pulsed drain current115 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance68 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge77nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W; TO220AB

Документация

Документы пока не предоставлены.