Антава

VISHAY

Транзистор SIHLU024-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
9.2A
Pulsed drain current
56A
Power dissipation
42W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHLU024-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current9.2A
Pulsed drain current56A
Power dissipation42W
КорпусIPAK, TO251
Gate-source voltage±10V
On-state resistance0.14Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge18nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251

Документация

Документы пока не предоставлены.