Антава

VISHAY

Транзистор SIHLU014-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
4.9 A
Pulsed drain current
31 A
Power dissipation
25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHLU014-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current4.9 A
Pulsed drain current31 A
Power dissipation25 W
КорпусIPAK, TO251
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge8.4nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; IPAK,TO251

Документация

Документы пока не предоставлены.