Антава

VISHAY

Транзистор SIHLL014TR-GE3

SIHLL014TR-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
1.7 A
Pulsed drain current
22 A
Power dissipation
3.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHLL014TR-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current1.7 A
Pulsed drain current22 A
Power dissipation3.1 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.