Антава

VISHAY

Транзистор SIHL620S-GE3

SIHL620S-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
3.3 A
Pulsed drain current
21 A
Power dissipation
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHL620S-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current3.3 A
Pulsed drain current21 A
Power dissipation50 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 21A; 50W

Документация

Документы пока не предоставлены.