Антава

VISHAY

Транзистор SIHL510STRL-GE3

SIHL510STRL-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
4 A
Pulsed drain current
18 A
Power dissipation
43 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHL510STRL-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current4 A
Pulsed drain current18 A
Power dissipation43 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance760 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 18A; 43W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.