Антава

VISHAY

Транзистор SIHK125N65E-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
25 A
Рассеиваемая мощность
174 W
Корпус
PowerPAK® 1012
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHK125N65E-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current25 A
Рассеиваемая мощность174 W
КорпусPowerPAK® 1012
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 174W; PowerPAK® 1012

Документация

Документы пока не предоставлены.