VISHAY

Транзистор SIHK125N60EF-T1GE3

PowerPAK® 1012Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600 V
Drain current: 21 A
Pulsed drain current: 54 A
Рассеиваемая мощность: 132 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIHK125N60EF-T1GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	600 V
Drain current	21 A
Pulsed drain current	54 A
Рассеиваемая мощность	132 W
Корпус	PowerPAK® 1012
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	0.125 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	45nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 54A; 132W

Документация

Документы пока не предоставлены.