Антава

VISHAY

Транзистор SIHK065N60E-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
34 A
Рассеиваемая мощность
192 W
Gate-source voltage
±30 V
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%841,55 ₽

Сумма · с НДС 22%1 683 100,00 ₽

От 2000 шт. · шаг 2000

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 2000841,55 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIHK065N60E-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current34 A
Рассеиваемая мощность192 W
Gate-source voltage±30 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge41nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 34A; 192W

Документация

Документы пока не предоставлены.