Антава

VISHAY

Транзистор SIHK055N60EF-T1GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
26 A
Pulsed drain current
110 A
Power dissipation
236 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHK055N60EF-T1GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current26 A
Pulsed drain current110 A
Power dissipation236 W
КорпусPowerPAK® 1012
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance58 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge90nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 110A; 236W

Документация

Документы пока не предоставлены.