Антава

VISHAY

Транзистор SIHJ8N60E-T1-GE3

SIHJ8N60E-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
18 A
Рассеиваемая мощность
89 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHJ8N60E-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current5 A
Pulsed drain current18 A
Рассеиваемая мощность89 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.52 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge44nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 89W

Документация

Документы пока не предоставлены.