Антава

VISHAY

Транзистор SIHJ7N65E-T1-GE3

SIHJ7N65E-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
17 A
Power dissipation
96 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHJ7N65E-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current5 A
Pulsed drain current17 A
Power dissipation96 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance598 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge44nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 17A; 96W

Документация

Документы пока не предоставлены.