Антава

VISHAY

Транзистор SIHJ690N60E-T1-GE3

SIHJ690N60E-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
3.5 A
Pulsed drain current
11 A
Рассеиваемая мощность
48 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHJ690N60E-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current3.5 A
Pulsed drain current11 A
Рассеиваемая мощность48 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 11A; 48W

Документация

Документы пока не предоставлены.