VISHAY

Транзистор SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600 V
Drain current: 7 A
Pulsed drain current: 30 A
Power dissipation: 89 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIHJ240N60E-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	600 V
Drain current	7 A
Pulsed drain current	30 A
Power dissipation	89 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	0.24 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	23nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 89W

Документация

Документы пока не предоставлены.