Антава

VISHAY

Транзистор SIHJ10N60E-T1-GE3

SIHJ10N60E-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
6 A
Рассеиваемая мощность
89 W
Корпус
PowerPAK® SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHJ10N60E-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current6 A
Рассеиваемая мощность89 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance313 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 89W; PowerPAK® SO8

Документация

Документ производителя