Антава

VISHAY

Транзистор SIHH250N60EF-T1GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
13 A
Рассеиваемая мощность
89 W
On-state resistance
0.25 Ω
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 000 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%567,55 ₽

Сумма · с НДС 22%1 702 650,00 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 3000567,55 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIHH250N60EF-T1GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current13 A
Рассеиваемая мощность89 W
On-state resistance0.25 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of channelenhancement
Semiconductor structuresingle transistor
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 13A; 89W; single transistor

Документация

Документы пока не предоставлены.