Антава

VISHAY

Транзистор SIHH240N60E-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
12 A
Рассеиваемая мощность
89 W
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHH240N60E-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current12 A
Рассеиваемая мощность89 W
КорпусPowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance208 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 89W; PowerPAK® 8x8L

Документация

Документы пока не предоставлены.