Антава

VISHAY

Транзистор SIHH190N65E-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
17 A
Pulsed drain current
38 A
Power dissipation
130 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHH190N65E-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current17 A
Pulsed drain current38 A
Power dissipation130 W
КорпусPowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.165 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 38A; 130W

Документация

Документы пока не предоставлены.