Антава

VISHAY

Транзистор SIHH180N60E-T1-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
12A
Pulsed drain current
44A
Power dissipation
114W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHH180N60E-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current12A
Pulsed drain current44A
Power dissipation114W
КорпусPowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.18Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 114W

Документация

Документы пока не предоставлены.