Антава

VISHAY

Транзистор SIHH14N65EF-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
9.5 A
Pulsed drain current
36 A
Рассеиваемая мощность
156 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSIHH14N65EF-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current9.5 A
Pulsed drain current36 A
Рассеиваемая мощность156 W
КорпусPowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance271 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge98nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 36A; 156W

Документация

Документы пока не предоставлены.