Антава

VISHAY

Транзистор SIHH100N60E-T1-GE3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
18 A
Pulsed drain current
63 A
Power dissipation
174 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSIHH100N60E-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current18 A
Pulsed drain current63 A
Power dissipation174 W
КорпусPowerPAK® 8x8L
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge53nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 63A; 174W

Документация

Документы пока не предоставлены.