Антава

VISHAY

Транзистор SIHG73N60E-GE3

SIHG73N60E-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
46 A
Power dissipation
520 W
Корпус
TO247AC
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 376 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 669,38 ₽

Сумма · с НДС 22%2 669,38 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 669,38 ₽
от 52 413,88 ₽
от 102 198,42 ₽
от 251 866,66 ₽
от 501 782,76 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIHG73N60E-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current46 A
Power dissipation520 W
КорпусTO247AC
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance39 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge362nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC

Документация

Документ производителя